全芯片编程速度超过同行11倍的65nm M29闪存

    恒忆（Numonyx B.V）公司推出了安全性更高的新型高密度存储器系列产品，可为机顶盒、电信设备和其他嵌入式产品制造商提供快速可编程功能。Numonyx™ Axcell™ M29EW闪存扩展了恒忆产品的密度范围，密度可高达2GB*，并支持流行的M29行业标准，帮助公司大举进军高密度嵌入式NOR闪存市场。

    Numonyx Axcell M29EW系列闪存是业界首款65纳米NOR存储产品，特别为满足嵌入式市场对代码和数据可靠性的严格要求而设计。Numonyx Axcell M29EW是恒忆公司计划于2009年推出的65纳米系列产品中的第一款，这个系列包括主要的并行和串行NOR嵌入式产品。更小的光刻尺寸确保恒忆持续提供具备高质量、高可靠性、低成本、高性能等优势的闪存解决方案。

    恒忆嵌入式产品业务部副总裁兼总经理Glen Hawk表示：“Nomonyx Axcell M29EW闪存巧妙地把领先的产品特性与可靠的技术与制造整合在一起。恒忆提供最高的密度，并增加了更快速编程和更高安全性等功能，同时在此产品中使用M29行业标准和业经验证的多层单元技术。”

     Numonyx Axcell M29EW把目前密度在4Mb－128Mb范围的恒忆行业标准闪存（M29）系列产品扩展到更高的256Mb－2Gb范围。很多M29行业标准客户都购买密度高于256Mb的存储器产品，这对于恒忆是极好的成长机会。推出Numonyx Axcell M29EW闪存后，恒忆产品的密度范围更加广泛。加上高质量和高可靠性以及强化的特性，预期恒忆将在高密度市场大展拳脚。

    更高的编程速度和更高的安全性

    除了插槽和软件兼容性优势，Numonyx Axcell M29EW产品系列提供用户可选的增值特性，大幅提高采用此产品各种应用的性能。为客户提供了范围广泛的配置、性能和安全级别选择。

    Numonyx Axcell M29EW大幅提高了编程速度，让客户能够提高编程效率，加快产品上市进程，并降低总体成本。这款新存储器的速度接近每秒1.5MB，拥有全芯片编程优势，速度是典型竞争产品的11倍。举例来说，应用Numonyx Axcell M29EW编程，256Mb的编码大约需要23秒，而其他竞争产品需要4.2分钟**，这对生产时间和成本的节约是显而易见的。

    随着嵌入式系统的不断发展，它们的存储器子系统越来越需要安全解决方案。除了防护恶意软件或写入失误的标准系统保护安全特性，Numonyx Axcell M29EW增加了一个精妙的安全选项以提供知识产权保护。恒忆已经增加了密码访问功能，防止内容被修改，从而系统制造商无论是自己制造还是由合同商代为制造，都能够保护存储在产品上的知识产权。

    质量与可靠性

    在行业标准（JEDEC）覆盖面积和命令集的基础上，Numonyx Axcell M29EW系列产品拥有广泛的行业支持和设计灵活性等优势，让嵌入式客户能够在各种密度上扩展存储器子系统。恒忆采用65纳米技术的NOR闪存已经量产18个月，制造流程已经非常可靠和成熟。

    针对嵌入式应用的65纳米技术让恒忆得以支持更长的产品生命周期，提供更强的产品特性并降低成本。恒忆计划把65纳米制程的优势引入其面向嵌入式市场的众多NOR产品中，包括并行和串行解决方案。恒忆行业标准闪存（M29）在性能、易用性和可靠性上拥有巨大的优势，可以满足嵌入式产品设计的苛刻要求。Numonyx™StrataFlash 嵌入式存储器（P30/P33）支持脉冲的高密度、高性能代码与数据解决方案。恒忆嵌入式闪存（J3 vD）继续为传统设计提供广泛的密度选择。借助低针数接口和更小的封装，行业标准的恒忆串行闪存（M25）可以为DTV、DVD、PC、调制解调器和打印机等各种设备简化电路板设计并节约电路板空间。

     256Mb Numonyx Axcell M29EW样品目前已经可以提供，批量生产将于下个季度开始。恒忆计划在2009年向市场推出更高密度的产品。

    关于恒忆 (Numonyx)

    恒忆设计与生产制造完整的集成NV-RAM、NOR、NAND 和相变非易失性存储技术与产品，以满足无线、数据和嵌入式存储器市场日趋复杂的需求。恒忆结合了意法半导体(STMicroelectronics)和英特尔(Intel) 存储部门的技术与制造专业，致力于为全球客户提供高密度、低功耗存储技术与封装解决方案。关于恒忆的详细信息，请查询公司网站 www.numonyx.com。