华盛顿大学研制出世上最薄的LED

　　近日，据国外媒体报道，华盛顿大学宣布他们已经研制出世上最薄的LED，其只有三个原子的厚度，是目前已有技术能做到的最薄LED了。其重点成份为二硒化钨(tungsten diselenide)，是已知最薄的半导体。一片这样的物料只有传统LED不到十分之一的厚度，但依然可以发出可见的亮度。

　　另外，它也很有弹性和坚固的。理论上，它可以应用于光学电路和纳米激光器等讲求细小的科技上，同时，它也当然有潜力用在现时斗薄斗轻的行动装置上吧，特别是最近热门的可穿戴式装置。