北方微电子成功研制应用于高亮LED制程的 AlN Sputter设备并批量销售

　　北方微电子公司近期发布了应用于GaN基LED制程中图形化或平面蓝宝石基片的AlN薄膜缓冲层沉积设备。这是国内首个成功应用于GaN基LED制程的AlN 薄膜缓冲层沉积设备，同时也完成了在国内主流芯片厂商验证和批量销售。

　　在蓝光、白光LED制程中，蓝宝石衬底上直接外延生长氮化镓(GaN)，一直存在晶格失配和热失配问题。而氮化铝(AlN)材料具有与GaN相同的晶格结构，且AlN与蓝宝石材料的晶格也有很强的匹配度，因此将AlN作为缓冲层，置入到蓝宝石衬底和GaN之间，在减少外延缺陷，提高外延质量方面有较大提高，受到了业界的广泛关注。

　　北方微电子作为国内LED领域高端设备及工艺解决方案提供商，从2013年开始深入技术研发，并与国内一流芯片厂商开展深度合作，通过合理的设备硬件设计，有效解决了AlN缓冲层沉积均匀性和重复性问题，成功研制了制备高结晶质量的AlN薄膜缓冲层的Sputter设备。

　　该设备可提高缓冲层与GaN外延层的晶格匹配度，提高LED产品的输出效率，拓宽MOCVD设备的工艺窗口，使产品的ESD测试通过率大幅提高;减低MOCVD的外延生长时间，提高产能，使整线的生产成本降低。同时，由于AlN薄膜的加入大大地降低了外延生长中的翘曲，大幅提升了芯片的良品率，促使其在大尺寸蓝宝石衬底上应用更具优势。并且该设备亦可扩展至2-8英寸硅、碳化硅基片的MEMS、HEMT领域中的AlN薄膜的制备。

　　北方微电子公司是一家专注于高端半导体装备研发与市场化的高新技术企业，通过在高端集成电路装备领域十余年的技术积累，形成了以薄膜工艺、刻蚀工艺、表面材料工程、等离子产生与控制、自动化及软件、超高真空、高离化率溅射源、颗粒控制等为基础的核心技术优势，并通过实施技术和产品的多元化战略，建立了以刻蚀机、PVD和CVD三大类半导体装备产品为核心的产品战略布局。

　　此次，完全自主研发并拥有自主知识产权的AlN Sputter设备的成功研制，打破了国际大厂的技术垄断，第一次与国际同行同时发布，并以其优越的技术性能领先于同行获得客户信任，使该设备成为LED领域全球首台成功销售的AlN Sputter设备。