Micro LED显示器的基础：磊晶及芯片

　 《2019 Micro LED次世代显示器关键报告》指出，Micro LED 技术不只亮度与对比效果超越 OLED，也同时具备反应迅速、低功耗与高可靠度特性，为移动与汽车应用带来新的可能。

　　然而，由于生产制程复杂，Micro LED显示屏幕的良率始终难以提升，且生产成本也仍高居不下，减缓了商业化的脚步。而其中一个挑战，便是Micro LED 芯片的质量。如果Micro LED芯片的质量够好，便能提升整体良率，也降低后续分选及检测修复阶段所需的时间成本。

　　Micro LED是微小化的 LED 芯片，因此对于磊晶晶圆在波长一致性与低瑕疵率的要求非常高。为达成Micro LED的需求，MOCVD 技术供应商便成为Micro LED晶圆阶段的重要角色。

　　MOCVD技术设备厂商与芯片厂合力发展 Micro LED 芯片

　　MOCVD 技术供应商AIXTRON与Veeco持续提升自家技术，以符合Micro LED技术的需求。AIXTRON表示，他们能够在6英寸晶圆片上，将瑕疵率降到每平方公分低于0.15。而在波长一致性方面，与传统LED所需的8-10 nm要求相比，Veeco的技术可以达成3-5nm的一致性。

　　这两家设备厂商也分别与LED芯片厂商密切合作，结合芯片厂商的技术，共同提升 Micro LED 芯片的效率与质量，加速生产放量。Veeco与德国Micro LED技术厂商ALLOS合作，已可稳定产出200 nm 氮化镓硅晶圆磊芯片。Veeco也与法国的Aledia合力研发应用于显示器的3D Micro LED。

　　此外，AIXTRON也分别提供MOCVD设备给中国台湾錼创及英国厂商Plessey生产 Micro LED芯片。AIXTRON在今年一月宣布与錼创签订Micro LED的生产合作协议。而錼创则提供Micro LED芯片给三星与天马的Micro LED显示器。

　　AIXTRON的MOCVD设备

　　Plessey则采用AIXTRON的MOCVD技术生产用于Micro LED的氮化镓硅晶，也在今年的Display Week上展出应用于 AR设备的 Micro LED 显示器。