韩国研究者实现石墨烯基板生长柔性GaN Micro LED阵列

　　12月11日，外媒消息，韩国首尔国立大学 与成均馆大学 的研究团队联合开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法，通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列，并称作微盘阵列(Microdisks arrays)。实验结果表明，微盘阵列表现出了优异的结晶度，并可发出平面内方向一致且亮度较强的蓝光。

　　据悉，研究人员使用金属有机气相外延技术在覆盖有微图案SiO2掩模的石墨烯层上生长GaN微盘。然后将微盘加工成Micro LED，并成功转移到可弯曲基板上。这项研究表明，可通过石墨烯上生长出高质量LED，并将其集成到灵活的Micro LED设备中。

　　值得注意的是，首尔国立大学的研究团队近年正在深入进行Micro LED技术的研究，并通过与韩国知名显示企业之间的合作，陆续开发出先进的Micro LED制造技术。

　　就在今年的7月，首尔国立大学与LG电子的科学团队在《自然》(nature)杂志上发表了一种称作流体自组装(FSA) 的巨量转移新技术，通过摇晃运动的方式将Micro LED芯片定位并粘合在基板上。

　　实验结果显示，通过应用FSA技术，可在60秒的时间内组装一个具有超19,000 个Micro LED芯片的两英寸蓝光面板。若仔细控制液体的粘度，该转移技术还可实现高达99.9%的Micro LED组装良率。

　　这项巨量转移新技术可大幅缩减Micro LED显示产品的制作时间与成本。该技术有望在未来5年应用在Micro LED智能手机、平板电脑、智能手表和增强现实设备等显示产品的生产中。

　　除此之外，在2020年，首尔国立大学团队还成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜 上生长出Micro LED阵列。研究团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列，用于生长尺寸为4μm×16μm的Micro LED阵列。这种方法无需经过等离子蚀刻 工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化，提供更高的外量子效率(EQE)。