Micro-LED量产的巨量转移技术
来源:数字音视工程网 编辑:ZZZ 2024-09-24 09:53:11 加入收藏
巨量转移技术是一种专门用于Micro-LED显示技术中的关键步骤,旨在将大量微小的LED芯片从生长基板高效、精确地转移到目标驱动基板上,以构建高密度、高质量的显示阵列。这一过程涉及到数十万乃至上千万颗LED芯片的转移,由于Micro-LED的尺寸远小于常规LED,因此其转移过程具有极高的挑战性,尤其是在数量、速度、精度、良率、稳定性和成本方面。因此,巨量转移技术成为了Micro-LED技术实现大规模产业化的关键所在。
辰显光电董小彪博士解释道:“Micro-LED显示屏幕包括可以发光的LED芯片以及控制LED发光的背板,Micro-LED器件是在蓝宝石或砷化镓等衬底上通过外延生长和微纳加工技术制备,并由巨量转移工艺集成到驱动背板。” 由于一个显示屏通常需要转移数十万乃至上千万颗LED芯片,对巨量转移的精度、效率、稳定性等要求极高,因此成为实现大规模产业化的关键之一。
技术突破:
挑战与机遇并存
目前,业内主流开发的技术包括大尺寸印章转移和激光类转移,以提升转移效率。而巨量转移的技术难点主要包括高效率转移、高可靠性键合、快速检测和修复。
转移效率
是指单位时间Micro-LED器件与背板集成的效率,直接影响制造屏体的设备投入和成本。
高可靠性键合
是指Micro-LED器件与背板结合的强度需要满足产品的需求,避免产品使用过程中的新增坏点问题。通常,通过LED器件上的电极与背板上对应电极形成互溶,并通过独立封装来提升键合强度。
高效率检测和修复
是指快速、准确地定位到屏体上坏点位置,然后通过对坏点进行替换,实现屏体的100%点亮。
以辰显公司为例,其转移速度已达到1000万颗/小时,并在不断寻求技术突破,以应对日益增长的市场需求。辰显光电通过与国内领先的设备和材料厂商合作,成功实现了多款核心设备和材料的国产化导入。这不仅降低了生产成本,也提高了技术的自主可控性。未来,辰显将继续在巨量转移技术上进行深入研发,推动Micro-LED技术的进一步发展。
技术挑战与转移良率
为了降低成本,Micro-LED芯片的尺寸会越来越小,转移过程中的对位精度要求也会越来越高,未来需要做到±0.5μm以内。这需要Micro-LED能够准确被临时基板承接,转移基板的加工精度和平整度必须达到一定参数才能实现高良率转移。通过控制工艺参数提升基板的加工精度,从而实现高良率转移。
辰显光电从99.99%的转移良率提高到99.995%仅用了3个月时间。通过提升各单元工艺的工程能力、转移基板制备过程中的点缺陷检出和修复能力,最终实现了稳定的高良率转移。
在这一过程中,辰显团队展现了卓越的执行力和团队合作精神,充分展现辰显人使命必达的企业文化。董小彪博士回忆道:“2021年设备刚搬入进行调试时,公司有一个关键的目标节点。当时由于设备搬入和调试时间比预期晚了近一个月,节点前一天的点亮效果仍未达标。当时负责人笑着对有些疲惫的伙伴说:’路虽崎岖,志犹坚矣。百折不挠,誓不辍行。我们绝不能在最终关头放弃。’于是他们带着关键技术人员进入产线继续奋战。机会总是留给有准备的人,当晚7点经过连续2个月的不间断努力,终于在节点前5个小时顺利完成了任务。”
技术趋势:
追求效率与成本的双重优化
随着Micro-LED技术的不断发展,巨量转移技术也在不断进步。未来,兼顾转移效率和精度的技术将成为研发的重点。同时,高效率的混bin技术也将成为提升显示画质的重要方向。
巨量转移技术的发展对Micro-LED显示技术的商业化进程具有深远影响。通过提高转移效率和良率,降低生产成本,Micro-LED技术将更具市场竞争力。此外,巨量转移技术还将在显示的互动方面发挥重要作用,为未来的显示技术带来更多可能性。
董博士还指出,从降低成本的角度看,未来Micro-LED显示使用的LED尺寸会越来越小,单次转移的屏体面积会越来越大,因此兼顾转移效率和精度的技术会成为未来开发的重点,如印章转移和激光转移相结合的工艺路线。从提升显示画质的角度,高效率的混bin技术将成为未来开发的方向之一。
展望未来:
Micro-LED显示技术的无限可能
Micro-LED技术凭借其独特的优势,将在未来的显示领域发挥重要作用。随着巨量转移技术的不断进步和成本的降低,Micro-LED显示技术将逐渐走向成熟和普及。我们有理由相信,在不久的将来,Micro-LED将为我们带来更加丰富多彩的视觉体验。
Micro-LED显示被市场接受主要体现在差异化应用、功能性优势和成本竞争力上。巨量转移技术的开发进度直接影响Micro-LED显示屏体的制造成本和显示质量。未来,巨量转移不仅可以集成Micro-LED发光器件,还可以在显示的互动方面发挥重要作用。未来降本的方向主要包括关键物料、转移效率和转移良率三个维度。
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