兆驰半导体、旭显未来公布3项Micro LED专利

　　近日，兆驰半导体、旭显未来相继公布最新Micro LED专利信息，涉及低电流密度下芯片的性能提升，提高芯片内量子效率，以及提升巨量转移效率。

　　兆驰半导体：发布两项专利，可提升Micro LED芯片性能

　　国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种蓝光Micro-LED的外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN118825157A，申请日期为2024年9月。

图片来源：国家知识产权局

　　该专利可降低生长InGaN量子阱时的应力，显著改善多量子阱发光层的质量，同时提高P型半导体层的空穴注入效率，从而提高Micro LED芯片在低工作电流密度下的光效、良率等性能，适用于小尺寸、低电流以及低功率的蓝光Micro LED。

　　专利摘要显示，发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种蓝光Micro‑LED的外延结构及其制备方法，外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力释放层，多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层，所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱子层第二浅蓝光多量子阱子层第三蓝光多量子阱子层和第四浅蓝光多量子阱子层，其中每层子层均为InGaN多量子阱层与多量子垒层的超晶格结构。

　　另外，兆驰半导体还申请一项名为“一种Micro-LED的外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN118825159A，申请日期为2024年9月。

图片来源：国家知识产权局

　　该专利通过在在N型掺杂GaN层和多量子阱层之间设置插入层，可以降低生长多量子阱层时的应力，并降低多量子阱层的位错密度，提高多量子阱层的晶体质量，从而提高Micro LED的内量子效率，降低工作电压，提升发光亮度。

　　专利摘要显示，发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种Micro LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层插入层多量子阱层，电子阻挡层，P型掺杂GaN层和接触层;其中，所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。

　　资料显示，兆驰股份于2017年在江西南昌成立兆驰半导体，目前兆驰半导体是全球单体规模最大的数字智能LED芯片生产基地，也是兆驰股份LED业务板块最主要的营收来源，其产销规模达到了110万片晶圆(4寸片)/月。

　　旭显未来：取得Micro LED巨量转移专利

　　国家知识产权局信息显示，旭显未来(北京)科技有限公司取得一项名为“一种MicroLED芯片巨量转移装置”的专利，授权公告号CN221885132U，申请日期为2024年2月。专利可通过在焊盘位置设置凹陷区，并利用磁性吸附的原理实现Micro LED芯片的快速定位安装，可靠性高。

　　图片来源：国家知识产权局

　　专利摘要显示，本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种Micro LED芯片巨量转移装置。一种Micro LED芯片巨量转移装置包括Micro LED芯片、转移基板和摇动单元;转移基板上设置有焊盘位置，焊盘位置处设置有凹陷区;焊盘位置的其中一个电极具有磁性;Micro LED芯片两个电极具有磁性，其中，Micro LED芯片与转移基板相同定义的电极上具有的磁性与焊盘位置上的磁性相反;摇动单元与转移基板传动连接并用于摇动转移基板，使Micro LED芯片落于凹陷区。

　　旭显未来是一家专业从事Mini/Micro LED显示屏生产技术研发、软件开发、技术服务、系统集成的高新技术企业。在全国范围内布局了五大生产基地，分别位于山东、湖南、江西、安徽、浙江。

　　其中，湖南工厂于今年7月成功点亮第一批倒装COB Mini LED显示箱体产品。未来，该工厂可年产66000平方米Mini LED显示模组。旭显未来预计，随着湖南工厂正式量产及安徽、浙江工厂的持续建设，预计2025年LED模组年度产能可达35万平米。

　　在Micro LED方面，今年4月，旭显未来曾展出全球首款真Micro LED薄膜芯片(去除原生衬底)MiP直显4K大屏。该产品采用发光芯片微纳化、原生衬底去除、晶圆级巨量转印、半导体扇出封测等技术。

　　为进一步推动Mini/Micro LED技术研发，今年8月，旭显未来的南方显示科技研究院正式在深圳挂牌成立。研究院基于新型显示领域的底层技术研究，从材料端、工艺端、光学端、电子端多学科建构部门，建立起完备的技术和人才储备，拥有从技术研发、工艺制造、生产器件到小间距模组的完整自主研发团队和完整的LED产业布局。