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芯联智创-全新GD25Q128ESIG 兆易贴片SOP8 FLASH存储器芯片 GD闪存-GD25Q128ESIG
特征：GD25Q128ESIG ◆ 128M 位串行闪存 ◆ 快速编程/擦除速度 - 16M 字节 - 页编程时间：0.5ms（典型值） - 每个可编程页面 256 字节 - 扇区擦除时间：典型值为 45 毫秒 - 块擦除时间：0.15s/0.25s 典型
地址：深圳市龙华区大浪街道高峰社区华荣路企商网创客中心A栋306
电话：0755-23445959(联系就说在DAV音视工程网上看到的)
| 经销商 | 联系方式 | 价格 |
|---|---|---|
| 芯联智创 | 0755-23445959 | 面议 |
◆ 高速时钟频率
- 133MHz 30PF 负载下快速读取 ◆ 低功耗
- 双 I/O 数据传输速度高达 266Mbits/s - 14μA 典型待机电流
- 四路 I/O 数据传输速度高达 532Mbits/s - 1μA 典型深度断电电流
◆ 软件/硬件写保护 ◆ 高级安全功能
- 通过软件写保护全部/部分内存 - 每个设备的 128 位 ID
- 使用 WP# 引脚启用/禁用保护 - 串行闪存可发现参数 (SFDP) 寄存器
- 顶部/底部块保护 - 具有 OTP 锁的 3x1024 字节安全寄存器
◆ ***性和数据保留 ◆ 单电源电压
- ***少 100,000 次编程/擦除周期 - 全电压范围：2.7-3.6V
- 典型的 20 年数据保留期
◆ 包装信息
◆ 允许 XiP（就地执行）操作 - SOP8 2.08 亿
- 高速读取减少了整体 XiP 指令提取时间 - SOP16 300mil
- 带 Wrap 的连续读取进一步将数据延迟降低至 - USON8（4x4mm，0.45mm 厚度）
填满 SoC 缓存 - WSON8 (6x5mm)
- WSON8 (8x6mm)
- TFBGA-24ball (6x4 Ball Array)
- TFBGA-24ball (5x5 Ball Array)
